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中科院突破5nm光刻技术垄断?事实残酷却又是把双刃剑

原标题:中科院突破5nm光刻技术垄断?事实很残酷,但它是一把双刃剑 在过去的半年里,关于中国科学院“突破ASML垄断”、“在没有EUV光刻机的情况下制造5纳米芯…

原标题:中科院突破5nm光刻技术垄断?事实很残酷,但它是一把双刃剑

在过去的半年里,关于中国科学院“突破ASML垄断”、“在没有EUV光刻机的情况下制造5纳米芯片”的消息从媒体圈爆发出来。然而,真的是这样吗?

《财经新媒体》最近的报道揭示了真相:今年7月,中国科学院苏州研究所联合国纳米中心在《纳米快报》上发表了题为“超分辨率激光光刻制备5 nm Gap电极和阵列”的研究论文,介绍了该团队开发的新型5 nm超高精度激光光刻加工方法。

本文的通讯作者、博士生导师刘谦特别强调,“不需要EUV光刻机就能制造5纳米芯片”是一种误解,超分辨率激光光刻和极紫外光刻技术是两回事。中科院开发的5nm超高精度激光光刻法,主要目的是制作光掩模,因为国产掩模板以低端为主,设备材料和技术多来自国外。

消息一出,网民的热情开始降温,但这件事其实是一把双刃剑。一方面,5nm芯片设备的约束依然存在;另一方面,至少说明我们在5nm相关光刻领域又向前迈进了一步。一口气吃不胖,脚踏实地就能造出5G时代100%国产的芯片。

“中科院突破5纳米技术”的消息在网上热议

自2020年7月以来,互联网上爆发了“中国科学院突破5纳米技术打破EUV光刻机垄断”的话题。相关新闻提到,中科院论文中介绍了一种新开发的“5 nm超高精度激光光刻加工方法”,点燃了国内芯片产业腾飞的希望。连续几个月,这件事一直在媒体上热议。

本文发表于2020年7月,随后发表在国际知名期刊《纳米快报》上。当时,中国科学院发布新闻稿称,研究团队针对激光微纳加工面临的实际问题,解决了高效率与高精度的内在矛盾,开发的微纳加工新技术在集成电路、光子芯片、微机电系统等诸多微纳加工领域显示出广阔的应用前景。

青岛大学新闻网2020年7月10日报道,近日,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员张紫阳、国家纳米中心研究员刘谦与青岛大学物理科学学院讲师夏风合作。在《纳米快报》上发表了一篇题为“超分辨率激光光刻5纳米纳米间隙电极和阵列”的研究论文,报道了一种新的5纳米超高精度激光光刻加工方法。苏州纳米技术研究所的研究生和黄,以及物理科学学院的是该论文的合著者。张紫阳和刘谦是这篇论文的通讯作者。

据媒体评论,5 nm光刻新技术已经取得突破,只要在设备厂家和厂商上再次取得突破,5 nm直接光刻技术在未来可能会很好的应用到生产中。

真的是这样吗?

该报纸时事通讯的作者刘谦解释说:这是一个误解

据《财经新媒体》12月2日发布的一份文件显示,2020年7月,中国科学院官网公布,苏州研究所国家纳米中心在《纳米快报》上发表了一篇题为《超分辨率激光光刻制作5 nm纳米间隙电极和阵列》的研究论文,介绍了一种新的5 nm超高精度激光光刻加工方法。

消息引起外界沸沸扬扬,有媒体声称“突破ASML垄断”,“中芯大有进步”,“中国不用EUV光刻机也能生产5 nm工艺的芯片”。

然而,本文作者、中国科学院研究员、博士生导师刘谦最近表示,存在一个误解。这种新的5 nm技术和极紫外光刻技术是两回事。极紫外光刻技术主要解决光源波长的问题。中科院开发的5 nm超高精度激光光刻加工方法的主要目的是制作光掩模,光掩模是集成电路光刻制造中不可缺少的一部分,也是限制最小线宽的瓶颈之一。

目前国内生产的口罩以中低端为主,设备材料和技术大部分来自国外。如果能够利用超高精度激光光刻技术制造高精度掩模板,有望提高我国掩模板的制造水平,对于降低现有光刻机中芯片的线宽也非常有利。这项技术在知识产权上完全独立,成本可能比目前低,因此具有产业化前景。

然而,即使这项技术被商业化,仍有许多核心技术需要突破,如透镜的数值孔径和光源的波长,以突破ASML(纳斯达克:ASML)在光刻机方面的垄断。

而且,EUV光刻机并不是ASML独家贡献的,其核心部件近90%来自世界各地的不同企业,ASML通过收购打通了上游产业链。目前没有一个国家能自主制造光刻机。

以一个国家的实力,中国几乎不可能在短时间内突破ASML在极紫外光刻方面的技术垄断。

对中国制造5纳米芯片能力的误解只是一把双刃剑

一句话给之前沸沸扬扬的媒体、业内人士、网友泼了一盆冷水,正如博士生导师刘谦所说:ASML制造的紫外光刻机通过:2007年100%收购美国计算光刻公司瑞初科技;2013年100%收购美国曙光光源设备公司西盟科技;2016年100%收购中国台湾电子束检测设备公司韩伟科;2016年,收购德国卡尔·蔡司光学镜片集团公司24.90%的股份;2019年,公司收购了荷兰电子束光刻机公司Mapper等等。光靠一个国家的实力是很难白手起家的!

但冷静而微妙的分析后,其实可以发现,中科院突破超分辨率激光光刻制备5 nm高精度掩模板技术的消息引发的乌龙欢呼事件,其实是一把双刃剑。

从悲观的角度来看,国外对5nm芯片制造设备的垄断依然存在,100%国产化之路还很遥远,不能高兴的太早;另一方面,如果乐观分析的话,至少可以说明我们在5nm光刻领域突破了另一项技术,向前迈进了一步,在这个领域的话语权有了一定程度的增加。

俗话说“一口气吃不胖”“冰冻三尺,非一日之寒”,5G高速发展的时代,100%国产芯片是有可能造出来的。

来源:通讯信息报

主编:赖SN244

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